Schottky Barrier Diode는 저전력 소모, 대전류 및 초고속 반도체 소자입니다. 스위칭 전원 공급 장치, 인버터, 드라이버 및 기타 회로, 고주파, 저전압, 고전류 정류기 다이오드, 보호 다이오드 또는 마이크로파 통신 회로에서 정류기 다이오드, 소신호 감지 다이오드로 사용됩니다.
우리는 Schottky Barrier Diode의 특성을 제공합니다.
특징
* 케이스: SMA/SMB/SMC/SOD123
* 표면 장착용
* 빠른 전환
* 낮은 스위칭 잡음
* 낮은 순방향 전압 강하
* 고전류 기능
* 높은 스위칭 능력높은 신뢰성높은 서지 능력
* 저전압 고주파 인버터, 프리 휠링 및 극성 보호 애플리케이션에 사용
기계적 데이터
* 케이스: 성형 플라스틱
* 에폭시: UL 94V-O 등급 난연제
* 리드: MIL-STD-202E 방식 208C 보장
* 극성: 색상 밴드는 음극 끝을 나타냅니다.
* 장착 위치: 모두
* 무게: 0.065그램(근사치)
세부 유형은 다음과 같습니다.
SS14,SS16,SS1100,SS24,SS26,SS2100,SS34,SS36,SS3100, SS54,SS56,SS5100,1N5817,
1N5818,1N5819,SR240,SR260, SR2100,1N5822,SR340,SR360,SR3100,SR3200,SR3100L,SR540,SR560, SR5100,SR5200, SR5100L,SR840, SR{{20}Q},SR8100,SR8200, 510S55,510SQ5,5 ,30SQ045
전기적 특성(Tamb=25 oC, 달리 지정되지 않는 한)
| IF(AV) (A) | VRRM(V) | VF (V) | 패키지 | ||||||||
| 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 80 | 100 | 150 | 200 | |||
| 1.0 | SS12 * | SS13 * | SS14 * | SS15 ** | SS16 ** | SS18 *** | SS110 *** | SS115 **** | SS120 ***** | *0.55 **0.7 ***0.85 ****0.9 *****0.95 | SMA |
| S12 * | S13 * | S14 * | S15 ** | S16 ** | S18 *** | S110 *** | S115 **** | S120 ***** | SOD123 | ||
| 2.0 | SS22A * | SS23A * | SS24A * | SS25A ** | SS26A ** | SS28A *** | SS210A *** | SS215A **** | SS220A ***** | *0.55 **0.7 ***0.85 ****0.9 *****0.95 | SMA |
| SS22B * | SS23B * | SS24B * | SS25B ** | SS26B ** | SS28B *** | SS210B *** | SS215B **** | SS220B ***** | 중소기업 | ||
| 3.0 | SS32C * | SS33C * | SS34C * | SS35C ** | SS36C ** | SS38C *** | SS310C *** | SS315C **** | SS320C ***** | *0.55 **0.7 ***0.85 ****0.9 *****0.95 | 에스엠씨 |
| SS32B * | SS33B * | SS34B * | SS35B ** | SS36B ** | SS38B *** | SS310B *** | SS315B **** | SS320B ***** | 중소기업 | ||
| 5.0 | SS52 * | SS53 * | SS54 * | SS55 ** | SS56 ** | SS58 *** | SS510 *** | SS515 **** | SS520 ***** | *0.55 **0.7 ***0.85 ****0.9 ********0.95 | 에스엠씨 |
*/** : trr 및 vf의 서로 다른 해당 값 표시
TRR 테스트 기간 : IF{0}}.5A IR=1.0A IRR=0.25A
테스트 환경:TA(최대)=25도
제품 흐름도



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인증서

자주하는 질문
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생산설비




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